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NVBG015N065SC1_V01	文件：331.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG015N065SC1_V01	文件：303.61 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	NVBG020N090SC1	ON	21+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价
深圳市恒意法电子有限公司	NVBG020N090SC1	onsemi	21+	SOD-123W	21000	专业分立半导体,原装渠道正品现货	询价
深圳市盈盛科创科技有限公司	NVBG020N090SC1	ON	21+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价
深圳市恒科翔业电子有限公司	NVBG020N090SC1	ON/安森美	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
深圳市宇烁芯半导体科技有限公司	NVBG020N090SC1	ON	23+	D2PAK7 (TO-263-7L HV)	100000	全新原装	询价
深圳市亿诺威科技有限公司	NVBG020N090SC1	ONSEMI	22+		791	原装实报价优,Q,1296807626	询价
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深圳市诺美思科技有限公司	NVBG020N090SC1	onsemi	22+/23+	TO-263-8,DPak(7 引线+接片)	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
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更多NVBG015N065SC1_V01供应商更新时间2024-5-28 17:20:00

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