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NGTB03N60R2DT4G 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NGTB03N60R2DT4G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,3A
- 开关能量:
50µJ(开),27µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
27ns/59ns
- 测试条件:
300V,3A,30 欧姆,15V
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 9A 600V DPAK
供应商
- 企业:
深圳市振鑫微电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
肖先生 张小姐 李先生
- 手机:
15889769346
- 询价:
- 电话:
0755-83250901
- 地址:
深圳市福田区沙头街道天安社区深南大道6007号安徽大厦1614
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