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NESG2031M16-A中文资料PDF规格书

厂商型号	NESG2031M16-A
功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
文件大小	119.15 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	NEC【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-15 15:30:00

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 21.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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