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NESG2030M04-T2-A分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NESG2030M04-T2-A
厂商型号

NESG2030M04-T2-A

参数属性

NESG2030M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:TRANS NPN 2GHZ SOT-343

功能描述

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
TRANS NPN 2GHZ SOT-343

文件大小

466.69 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-2 8:30:00

NESG2030M04-T2-A规格书详情

NESG2030M04-T2-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NESG2030M04-T2-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    NESG2030M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    2.3V

  • 频率 - 跃迁:

    60GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    80mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    TRANS NPN 2GHZ SOT-343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
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