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NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0Wpartiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorpo | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
NE8500295-4 | GaAs MES FET DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0W partiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorp | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
NE8500295-4 | 2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
NE8500295-4 | 2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET | CEL California Eastern Laboratories | CEL |
详细参数
- 型号：
NE8500295-4
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
16+ |
渡金高频 |
50000 |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
NEC |
2339+ |
99 |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
NEC |
2022+ |
99 |
5345 |
授权代理分销商,现货库存可持续供货! |
询价 | ||
NEC |
2017+ |
32256 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
询价 | |||
NECELECTRON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
NEC |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||||
NEC |
13+ |
SOT423 |
52800 |
特价热销现货库存 |
询价 |
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