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|---|---|---|---|---|
NE850R599A | N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION TheNE850R599ApowerGaAsFETcovers2GHzto10GHzfrequencyrangeforcommercialamplifier,oscillatorapplicationsandsoon. ThedeviceincorporatesTi-AIgateandsilicondioxideglassivation.Toreducethethermalresistance,thedevicehasaPHS.(PlatedHeatSink) NEC’sstr | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
NE850R599A | C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
NE850R599A | C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET | CEL California Eastern Laboratories | CEL | |
GaAsMESFET TheNE850R599powerGaAsFETcovers2GHzto10GHzfrequencyrangeforcommercialamplifier,oscillatorapplicationsandsoon. ThedeviceincorporatesTi-AIgateandsilicondioxideglassivation.Toreducethethermalresistance,thedevicehasaPHS.(PlatedHeatSink) NEC’sstrigentquality | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
详细参数
- 型号：
NE850R599A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
NEC |
16+ |
渡金高频 |
50000 |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
询价 | ||
NEC |
2017+ |
32256 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
询价 | |||
NECELECTRON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NEC |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NEC |
13+ |
SOT423 |
52800 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
CEL |
17+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 |
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