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NE6500496	文件：37.58 Kbytes Page：6 Pages	4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NE6500496	文件：196.42 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MES FET 4WL,S-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6500496ispowerGaAsFETwhichprovideshigh gain,highefficiencyandhighoutputpowerinL,Sband. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS (PlatedHeatSink)structure. FEATURES •ClassAoperation •H	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE6500496_00	文件：33.32 Kbytes Page：2 Pages	L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET DESCRIPTION TheNE6500496isamediumpowerGaAsMESFETdesignedforuptoa4Woutputstageorasadriverforhighpowerdevices.ThedevicehasnointernalmatchingandcanbeusedfromUHFfrequenciesupto3.0GHz.Thechipsusedinthisseriesoffersuperiorreliabilityandconsistentperf	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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NE6500496

文件：37.58 Kbytes

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4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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GaAs MES FET

4WL,S-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6500496ispowerGaAsFETwhichprovideshigh gain,highefficiencyandhighoutputpowerinL,Sband. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS (PlatedHeatSink)structure. FEATURES •ClassAoperation •H

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L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

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详细参数

型号：
NE6500496
功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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