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NE650103M

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE650103M

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Laboratories

NE650103M-A

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE650103M-A

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Laboratories

NE650103M-A

包装:卷带(TR) 封装/外壳:SOT-445 变式 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 15V 2.3GHZ 3M

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    NE650103M

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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更多NE650103M供应商 更新时间2024-5-17 8:29:00