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NE650103M中文资料PDF规格书

NE650103M
厂商型号

NE650103M

参数属性

NE650103M 封装/外壳为SOT-445 变式;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 15V 2.3GHZ 3M

功能描述

N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

230.89 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 18:12:00

NE650103M规格书详情

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication

base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and

low distortion.

Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.

FEATURES

• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.

• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.

• High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz

产品属性

  • 产品编号:

    NE650103M-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    MESFET

  • 频率:

    2.3GHz

  • 增益:

    11dB

  • 额定电流(安培):

    5A

  • 功率 - 输出:

    40dBm

  • 封装/外壳:

    SOT-445 变式

  • 供应商器件封装:

    3M

  • 描述:

    FET RF 15V 2.3GHZ 3M

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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