| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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CEL微型-X 陶瓷 84C |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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CEL/NECSMT36 |
5880 |
2021+ |
只做原装优势渠道可全系列订货开增值税票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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原装RENESASSMT36 |
55000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
2699 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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NECsot-84 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NECSMT36 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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CEL84C |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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CEL84C |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NECSMT36 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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CEL微型-X 陶瓷 84C |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECMICRO-X |
21000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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CEL84C |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NEC84C |
2699 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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NEC84C |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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NECSMT36 |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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NEC84C |
7 |
09+PBF |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
55000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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NEC84C |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
NE350184C采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE350184C图片
NE350184C-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多NE350184C功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE350184C(A)制造商:Renesas Electronics Corporation
NE350184C-A功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE350184C-T1功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE350184C-T1A功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
产品属性
- 产品编号：
NE350184C
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.7dB
- 封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装：
84C
- 描述：
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
