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NE350184C 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 CEL

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原厂料号:NE350184C品牌:CEL

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NE350184C是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商CEL生产封装84C/微型-X 陶瓷 84C的NE350184C晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    NE350184C

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    CEL详情

  • 厂商全称:

    California Eastern Laboratories

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    269.44 kb

  • 资料说明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NE350184C

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.7dB

  • 封装/外壳:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供应商器件封装:

    84C

  • 描述:

    FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供应商

  • 企业:

    深圳市河锋鑫科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    杨佳河

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