NE350184C-T1_NEC/瑞萨_射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET拓亿芯1

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1+
  • 厂家型号:

    NE350184C-T1

  • 产品分类:

    IC芯片

  • 生产厂商:

    NEC/瑞萨

  • 库存数量:

    15000

  • 产品封装:

    84C

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-4-29 16:16:00

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原厂料号:NE350184C-T1品牌:NEC

全新原装现货,价格优势

  • 芯片型号:

    NE350184C-T1

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Electronics America

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

  • 内容页数:

    11 页

  • 文件大小:

    223.26 kb

  • 资料说明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号:

    NE350184C-T1

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商

  • 企业:

    深圳市拓亿芯电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    刘先生

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