MT47H64M16HR-25E 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光

MT47H64M16HR-25E

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1+
  • 厂家型号:

    MT47H64M16HR-25E

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    MICRON/镁光

  • 库存数量:

    1000

  • 产品封装:

    BGA

  • 生产批号:

    20+

  • 库存类型:

    现货库存

  • 更新时间:

    2024-4-30 16:24:00

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原厂料号:MT47H64M16HR-25E品牌:MICRON/美光

原装正品,深圳现货

MT47H64M16HR-25E是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/美光/Micron Technology Inc.生产封装BGA/84-TFBGA的MT47H64M16HR-25E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

  • 芯片型号:

    MT47H64M16HR-25EAT

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    MICRON【镁光】详情

  • 厂商全称:

    Micron Technology Inc.

  • 中文名称:

    美国镁光科技有限公司

  • 内容页数:

    131 页

  • 文件大小:

    9272.35 kb

  • 资料说明:

    DDR2 SDRAM

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MT47H64M16HR-25E AAT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    84-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    84-FBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

供应商

  • 企业:

    深圳市浩睿泽电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    罗 浩

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    19854773352

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