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MRF5S21150	文件：400.11 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF5S21150HR3	文件：386.37 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. •Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF5S21150HSR3	文件：386.37 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. •Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF5S21150R3	文件：400.11 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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MRF5S21150SR3	文件：400.11 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF5S21150HR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-880 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF5S21150HSR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-880S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF5S21150HSR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-880S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MRF5S21150
制造商：
FREESCALE
制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
功能描述：
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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