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MRF5S9100NR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati

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飞思卡尔

MRF5S9100NR1

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔

MRF5S9100NR1

包装:托盘 封装/外壳:TO-270AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRF5S9100NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    880MHz

  • 增益:

    19.5dB

  • 功率 - 输出:

    20W

  • 封装/外壳:

    TO-270AB

  • 供应商器件封装:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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2138+
TO-270
6900
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TO-270
货真价实,假一罚十
25000
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23+
1688
房间现货库存:QQ:373621633
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更多MRF5S9100NR1供应商 更新时间2024-6-13 10:20:00