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MRF5S9150HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

880MHz,33WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom869to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. •TypicalSingle-CarrierN-CDMAPerformance@880MHz:VDD=28Volts,IDQ=1500mA,Po

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飞思卡尔

MRF5S9150HR3

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

MRF5S9150HR3

包装:卷带(TR) 封装/外壳:SOT-957A 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 880MHZ NI-780

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF5S9150HR3_09

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

产品属性

  • 产品编号:

    MRF5S9150HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    880MHz

  • 增益:

    19.7dB

  • 功率 - 输出:

    33W

  • 封装/外壳:

    SOT-957A

  • 供应商器件封装:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ NI-780

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF5S9150HR3供应商 更新时间2024-6-13 13:30:00