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BCL-410-PL	文件：178.96 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4AWGWire,StudSize10,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	ActiveBiasController	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
MBRS410L	文件：182.03 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MH-410D	文件：343.79 Kbytes Page：8 Pages	NDIRInfraredCO2GasSensor	WINSENZhengzhou Winsen Electronics Technology Co., Ltd. 炜盛电子郑州炜盛电子科技有限公司	WINSEN
MHT410	文件：346.04 Kbytes Page：2 Pages	MHT410Moisture,HydrogenandTemperatureTransmitter Featuresandbenefits Measuresmoistureandhydrogen directlyintransformeroil Compatiblewithmineraloil, naturalesteroil,syntheticester oil,andsiliconeoil Easytoinstall Providesearlywarningon potentialtransformerfaults Uniqueprobedesignallowsfor directmeasurement	VAISALAVaisala 维萨拉（北京）维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
MJ410	文件：139.84 Kbytes Page：4 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON HighVoltageNPNSiliconTransistors ...designedformediumtohighvoltageinverters,converters,regulatorsandswitchingcircuits. •HighCollector–EmitterVoltage—VCEO=200Volts •DCCurrentGainSpecified@1.0and2.5Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=0.8	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ410	文件：72.6 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=200V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.8V(Max)@IC=1A APPLICATIONS •Designedformediumtohighvoltageinverters,converters,regulatorsandswitchingcircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ410	文件：110.64 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highcollector-emittervoltage •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Designedformediumtohighvoltageinverters,converters,regulatorsandswitchingcircuits.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ410	文件：133.94 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNSiliconTransistors ...designedformediumtohighvoltageinverters,converters,regulatorsandswitchingcircuits. •HighCollector-EmitterVoltage—VCEO=200Volts •DCCurrentGainSpecified@1.0and2.5Adc •LowCollector-EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=0.8Vdc@lc=1.0Adc	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ410	文件：112.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
ML410PZA	文件：199.28 Kbytes Page：2 Pages	HighReliabilityPowerInductors	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
MRF410	文件：92.26 Kbytes Page：1 Pages	NPNBipolarRFpowertransistor	ELEFLOWeleflow technologies co., ltd. 易富乐深圳市易富乐科技有限公司	ELEFLOW
MS410PZA	文件：200.4 Kbytes Page：2 Pages	HighReliabilityPowerInductors	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
MSB410	文件：1.20798 Mbytes Page：3 Pages	MSBPlastic-EncapsulateBridgeRectifier Features 4A IF(AV) 1000V Highsurgecurrentcapability VRRM Glasspassivatedchip Applications rpose1phaseBridge rectifierapplications Generalpu	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MSB410	文件：381.74 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIER Features Glasspassivatedjunction. Idealforprintedcircuitboard. Reliablelowcostconstructionutilizing moldedplastictechnique. Highsurgecurrentcapability. Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secondsatterminals.	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
MTP410G	文件：225.33 Kbytes Page：2 Pages	MODULARTELEPHONEPLUGS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH

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详细参数

型号：
MB410
制造商：
FUJITSU
制造商全称：
Fujitsu Component Limited.
功能描述：
FM Stereo Multiplex Demodulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	MB4105	FUJITSU	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市旺财半导体有限公司	MB4105	FUJ	23+	DIP	3880	正品原装货价格低qq:2987726803	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	MB4105P	FUJITSU	2017+	DIP	32547	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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