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MUR410-LFR	文件：128.86 Kbytes Page：2 Pages	4AFASTEFFICIENTRECTIFIER 4AFASTEFFICIENTRECTIFIER FEATURES LOWPOWERLOSS,HIGHEFFICIENCY LOWLEAKAGE LOWFORWARDVOLTAGEDROP HIGHCURRENTCAPABILITY HIGHSPEEDSWITCHING HIGHRELIABILITY HIGHCURRENTSURGE GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION ROHS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MUR410PT	文件：79.81 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
MUR410RL	文件：67.89 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR410RLG	文件：67.89 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR410RLG	文件：118.9 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURC410	文件：285.43 Kbytes Page：4 Pages	MURC405-MURC460UltrafastSiliconDie	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
MURS410	文件：702.06 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MURS410	文件：176.19 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MURS410	文件：149 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MURS410	文件：157.77 Kbytes Page：2 Pages	4.0ASURFACEMOUNTULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
NBB-410	文件：45.78 Kbytes Page：4 Pages	BiasSchemeforNBB-SeriesAmplifiers Introduction RFMD’sNBB-seriesamplifiersaremonolithicintegratedcircuits(ICs)usingInGaP/GaAsHBTtechnology.TheNBB-seriesusesaDarlington-pairtransistorconfigurationwithbiasandfeedbackresistorsproperlyselectedtodeterminethegain,inputandoutputmatchandbias(bothvoltag	RFMD RF Micro Devices	RFMD
NDB410A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB410A	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB410AE	文件：344.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB410AE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB410B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB410B	文件：344.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB410BE	文件：344.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB410BE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP410A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
MB410
制造商：
FUJITSU
制造商全称：
Fujitsu Component Limited.
功能描述：
FM Stereo Multiplex Demodulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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