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MAX2608EUT+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 功能：VCO 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块描述：IC IF VCO W/DIFF-OUT SOT23-6	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX2608EUT+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-23-6 功能：VCO 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块描述：IC IF VCO W/DIFF-OUT SOT23-6	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
2608	文件：105.62 Kbytes Page：1 Pages	DomePlugs	Heyco Heyco	Heyco
2608N	文件：117.65 Kbytes Page：1 Pages	ThinPanelDomePlugs	Heyco Heyco	Heyco
AOB2608L	文件：282.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT2608L/AOB2608LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT2608L	文件：1.2892 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT2608L	文件：289.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT2608L/AOB2608LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP2608AGK-HF	文件：96.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2608AGY-HF	文件：63.54 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2608GY	文件：64.11 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
BURNDY_YF2608ID	文件：272.44 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,Purple,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BURNDY_YF2608IT	文件：289.4 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,Yellow,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BURNDY_YF2608IW	文件：260.91 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,LTBlue,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
CEH2608A	文件：471.84 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
DTQ2608	文件：359.19 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •SynchronousRectification •DT-TrenchPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
GKN2608	文件：589.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GKN2608	文件：602.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GKR2608	文件：589.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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产品属性

产品编号：
MAX2608EUT+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
卷带（TR）
功能：
VCO
频率：
300MHz ~ 500MHz
射频类型：
手机，GPS，ISM
辅助属性：
差分输出
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-6
描述：
IC IF VCO W/DIFF-OUT SOT23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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