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MAX2670GTB/V+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带封装/外壳：10-WFDFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频前端（LNA + PA）描述：GPS/GNSS FRONT END AMPLIFIER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX2670GTB/V+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：10-WFDFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频前端（LNA + PA）描述：IC AMP GPS/GNSS FRONTEND 10TDFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ACPL-2670L	文件：147.49 Kbytes Page：11 Pages	HermeticallySealed,3.3VHighSpeed,HighCMR,LogicGateOptocouplers	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
C2670	文件：427.04 Kbytes Page：1 Pages	700/800WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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DW2670B	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
EUR2670M	文件：179.08 Kbytes Page：4 Pages	8.89mmx8.89mmLEDLIGHTBAR	SUNLED sunled corporation	SUNLED
FDB2670	文件：83.65 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyforswitchingontheprimarysideintheisolatedDC/DCconverterapplication.Anyapplicationrequiringa200VMOSFETswithlowon-resistanceandfastswitchingwillbenefit. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB2670	文件：332.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2670	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=720mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2670	文件：95.4 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •3.6A,200V.RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V •Lowgatecharge •Fastswitchingspeed •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP2670	文件：83.65 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyforswitchingontheprimarysideintheisolatedDC/DCconverterapplication.Anyapplicationrequiringa200VMOSFETswithlowon-resistanceandfastswitchingwillbenefit. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP2670	文件：331.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS2670	文件：107.56 Kbytes Page：6 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2670	文件：85.88 Kbytes Page：12 Pages	PowerConverterTopologyandMOSFETSelectionfor48-VTelecom	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2670	文件：339.53 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •3.0A,200V.RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V •Lowgatecharge •Fastswitchingspeed •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GEL-2670	文件：421.72 Kbytes Page：5 Pages	26-PortL2ManagedGigabitEthernetSwitch,2xSFP	LVL1 Level One	LVL1
HLMP-2670	文件：322.15 Kbytes Page：16 Pages	LEDLightBars Description TheHLCP-X100andHLMP-2XXXserieslightbarsarerectangularlightsourcesdesignedforavarietyofapplicationswherealargebrightsourceoflightisrequired.Theselightbarsareconfiguredinsinglein-lineanddual-in-linepackagesthatcontaineithersingleorsegmentedlight	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HLMP-2670	文件：770.46 Kbytes Page：6 Pages	LEDLIGHTBARS LEDLIGHTBARS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HLMP-2670	文件：997.24 Kbytes Page：5 Pages	LEDLIGHTBARS	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO

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产品属性

产品编号：
MAX2670GTB/V+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频前端（LNA + PA）
包装：
带
射频类型：
GPS/GNSS
频率：
1575MHz
封装/外壳：
10-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-TDFN（3x3）
描述：
GPS/GNSS FRONT END AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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