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MAX2609EUT+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-23-6 功能：VCO 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块描述：IC VCO IF W/DIFF OUT SOT23-6	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
2609B	文件：49.7 Kbytes Page：4 Pages	2609BBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontro	agere 杰尔	agere
2609B	文件：938.88 Kbytes Page：4 Pages	BroadbandPhotodiodeModule The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiberopticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontrolofparasitic	EMCORE Emcore Corporation	EMCORE
2609C	文件：49.93 Kbytes Page：4 Pages	2609CBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Cisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetocontrolofpa	agere 杰尔	agere
AP2609GY-HF	文件：64.849 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2609GYT-HF	文件：63.86 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
CEC2609	文件：680.64 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4.8A,RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-3.0A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. S2	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2609	文件：572.07 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.5A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-2.5A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapa	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEH2609A	文件：560.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-2.8A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FKN2609	文件：580.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKN2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKN2609meetstheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司	FETEK
FKUC2609	文件：591.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKUC2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKUC2609meetstheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability approved.	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司	FETEK
IRS2609DSPBF	文件：820.64 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS2609DSPBF	文件：831.8 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS2609DSPBF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS2609DSTRPbF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
KSC2609A	文件：50.96 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyHighFrequencyPowerAmplifier AudioFrequency HighFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSA1220/KSA1220A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LM2609	文件：1.44456 Mbytes Page：6 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LTC2609	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC2609CGN	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC2609CGNPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER

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产品属性

产品编号：
MAX2609EUT+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
托盘
功能：
VCO
频率：
500MHz ~ 650MHz
射频类型：
手机，GPS，ISM
辅助属性：
差分输出
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-6
描述：
IC VCO IF W/DIFF OUT SOT23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MAX2609EUT+T	ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)	23+	SOT236	2669	只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单	询价
深圳市博浩通科技有限公司	MAX2609EUT+T	MAXIM	23+	SOT23	7750	全新原装优势	询价
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