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LM5113SDE/NOPB中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
LM5113SDE/NOPB |
| 参数属性 | LM5113SDE/NOPB 封装/外壳为10-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC） > 栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON |
| 功能描述 | LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs |
| 文件大小 |
2.43511 Mbytes |
| 页面数量 |
24 页 |
| 生产厂商 | Texas Instruments(TI) |
| 企业简称 |
TI1【德州仪器】 |
| 中文名称 | 德州仪器 (TI)官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-3 20:54:00 |
产品属性
- 产品编号：
LM5113SDE/NOPB
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1.76V，1.89V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.2A，5A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
7ns，1.5ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
10-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
10-WSON（4x4）
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
22+ |
10-WSON |
30000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI |
21+ |
10-WSON |
3200 |
公司只做原装,诚信经营 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
WSON10(4x4) |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
TI/Texas Instruments Incorpora |
21+ |
10-WSON |
33 |
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询价 | ||
TI |
21+ |
10-WSON |
1398 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
25000 |
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询价 | |||
TI |
23+ |
NA |
9376 |
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询价 | ||
TI |
22+ |
WSON10 |
12800 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2048+ |
10-WSON |
6541 |
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询价 | ||
TI |
22+ |
10-WSON |
5000 |
全新原装,力挺实单 |
询价 |
