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LM5113SD中文资料PDF规格书

LM5113SD
厂商型号

LM5113SD

参数属性

LM5113SD 封装/外壳为10-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

功能描述

LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

文件大小

2.43511 Mbytes

页面数量

24

生产厂商 Texas Instruments(TI)
企业简称

TI1德州仪器

中文名称

德州仪器 (TI)官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 22:58:00

产品属性

  • 产品编号:

    LM5113SDE/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.76V,1.89V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.2A,5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    7ns,1.5ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-WSON(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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