LM5113SD中文资料PDF规格书
![LM5113SD](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
LM5113SD |
参数属性 | LM5113SD 封装/外壳为10-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON |
功能描述 | LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs |
文件大小 |
2.43511 Mbytes |
页面数量 |
24 页 |
生产厂商 | Texas Instruments(TI) |
企业简称 |
TI1【德州仪器】 |
中文名称 | 德州仪器 (TI)官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 22:58:00 |
产品属性
- 产品编号:
LM5113SDE/NOPB
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.76V,1.89V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.2A,5A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
7ns,1.5ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
10-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
10-WSON(4x4)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/NS |
2016+ |
WSON10 |
3000 |
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询价 | ||
Texas Instruments |
24+ |
WSON10 |
29922 |
TI优势主营型号-原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON10 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON10 |
25860 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON10 |
12000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
标准封装 |
53183 |
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询价 | |||
TI/德州仪器 |
2021+ |
WSON10 |
9598 |
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TI/德州仪器 |
19+ |
WSON10 |
1000 |
订货中主营TI |
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TI(德州仪器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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TI/德州仪器 |
19+ |
WSON10 |
880000 |
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询价 |