LM5113SDE中文资料PDF规格书
![LM5113SDE](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
LM5113SDE |
参数属性 | LM5113SDE 封装/外壳为10-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON |
功能描述 | LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs |
文件大小 |
2.43511 Mbytes |
页面数量 |
24 页 |
生产厂商 | Texas Instruments(TI) |
企业简称 |
TI1【德州仪器】 |
中文名称 | 德州仪器 (TI)官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 18:30:00 |
产品属性
- 产品编号:
LM5113SDE/NOPB
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.76V,1.89V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.2A,5A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
7ns,1.5ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
10-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
10-WSON(4x4)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
23+ |
WSON10(4x4) |
6000 |
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询价 | ||
TI |
21+ |
10-WSON |
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Texas Instruments |
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