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L6389ED 集成电路(IC)栅极驱动器 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
L6389ED
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
17V(最大)
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.1V,1.8V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
400mA,650mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
70ns,40ns
- 工作温度:
-45°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
供应商
- 企业:
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
傅冰玲
- 手机:
13378407305
- 询价:
- 电话:
0755-83062789
- 传真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华富路1006号航都大厦10B
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