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JFE2140DR 分立半导体产品晶体管 - JFET TI/德州仪器

JFE2140DR参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    JFE2140DR

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    TI/德州仪器

  • 库存数量:

    2669

  • 产品封装:

    SOP-8

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    热卖库存

  • 更新时间:

    2024-5-14 17:13:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:JFE2140DR品牌:TI(德州仪器)

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

JFE2140DR是分立半导体产品 > 晶体管 - JFET。制造商TI(德州仪器)/Texas Instruments生产封装SOP-8/8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的JFE2140DR晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

  • 芯片型号:

    JFE2140DR

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    TI【德州仪器】详情

  • 厂商全称:

    Texas Instruments

  • 中文名称:

    美国德州仪器公司

  • 内容页数:

    28 页

  • 文件大小:

    2019.52 kb

  • 资料说明:

    JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N?멌hannel JFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    JFE2140DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    2 N-通道(双)

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    13pF @ 5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE

供应商

  • 企业:

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    陈燕纯

  • 手机:

    13554797626

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