JAN2N6059数据表ic资料供应价格微芯科技-114ic电子网

首页 >JAN2N6059>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
JAN2N6059	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N6059	文件：294.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION ·Built-inBase-EmitterShuntResistors ·HighDCcurrentgainhFE =300(Min)@IC=5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- VCEO(SUS)=80V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6059	文件：185.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONMULTI-EPITAXIALNPNTRANSISTOR •HighCurrentCapability. •HermeticTO3Metalpackage. •ScreeningOptionsAvailable	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N6059	文件：77.06 Kbytes Page：1 Pages	NPNDARLINGTONTRANSISTOR DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6059	文件：115.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N6059	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6059	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6059	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6059	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N6059	文件：185.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONMULTI-EPITAXIALNPNTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6059	文件：45.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N6059	文件：42.47 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-3package •Highcurrent;highdissipation •DARLINGTON •Complementtotype2N5883;2N5884 APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andlowfrequencyswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6059	文件：16.32 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6059	文件：223.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N6059	文件：132.11 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6059	文件：113.7 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highcurrent;highdissipation ·DARLINGTON ·Complementtotype2N5883;2N5884 APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N6059	文件：114.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highgain ·Highcurrent ·Highdissipation ·Complementtotype2N5883/2N5884 APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2N6059	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6059	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6059	文件：130.66 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

12 >>>

产品属性

产品编号：
JAN2N6059
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/502
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	JAN2N6059	Microchip Technology	24+	TO-204AA,TO-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市一线半导体有限公司	JAN2N6059	MOT	02+		346		询价
深圳市弘为电子有限公司	JAN2N6059	MOTOROLA	16+	TO-3	1000	原装现货假一罚十	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	JAN2N6059	MICROSEMI			638	原装正品	询价
深圳市龙腾翼电子科技有限公司	JAN2N6059		2000		12		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	JAN2N6059	Microsemi	1941+	N/A	909	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	JAN2N6059	MICROSEMI	1809+	TO-204	26	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
标准国际(香港)有限公司	JAN2N6059	MOTOROLA	8041		9	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	JAN2N6059	Microsemi Corporation	2022+	TO-204AA(TO-3)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JAN2N6059	Microchip Technology	24+	TO-204AA,TO-3	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

更多JAN2N6059供应商更新时间2024-9-20 17:19:00

产品属性

相关规格书

相关库存