| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
JAN2N6341 | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 150V 10UA TO3 | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
POWERTRANSISTOR(25A,200W) 25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS | MOSPEC MOSPEC | MOSPEC | ||
POWERTRANSISTORSNPNSILICON ...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
HIGH-POWERNPNSILICONTRANSISTORS 25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | ||
NPNPOWERSILICONTRANSISTOR NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/509 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 | JMNIC | ||
iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min)-2N6338=120V(Min)-2N6339=140V(Min)-2N6340=160V(Min)-2N6341 •HighSwitchingSpeed •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=10A APPLICATIONS •Designedforuseinindustrial-militarypoweramplifier | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
High-PowerNPNSiliconTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
SiliconNPNPowerTransistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
High-PowerNPNSiliconTransistors ...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
25AMPEREPOWERTRANSISTORS 25AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON100,120,140,150VOLTS200WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
SINPNPOWERBJT 25AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON100,120,140,150VOLTS200WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
High-PowerNPNSiliconTransistors ...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
JAN2N6341
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/509
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 2.5A，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10A，2V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 150V 10UA TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
TO-204AA,TO-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
MOT |
02+ |
TO-3 |
266 |
询价 | |||
SANSUNG |
新 |
2 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-204AA,TO-3 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
NES/MOT |
16+ |
CAN4 |
500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
NES |
2022+ |
CAN4 |
1800 |
只售进口原装公司现货! |
询价 | ||
NES |
23+ |
CAN4 |
3658 |
优势库存 |
询价 | ||
MSC |
专业铁帽 |
CAN4 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 |
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