2N6059中文资料PDF规格书
厂商型号 |
2N6059 |
参数属性 | 2N6059 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 |
功能描述 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
90.89 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-4 8:00:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N6059三极管、2N6059晶体管、2N6059晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
12A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BDV65A,BDW83C,BDX65B,BDX67B,BDX87C,FH9D,MJ4035,TIP141,TIP642,2SC1830,2SD685,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍数:
β>750
- 图片代号:
E-44
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
12
- wtest:
150
2N6059规格书详情
DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS
...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications
FEATURES:
* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.
* High DC Current Gain -
hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A
产品属性
- 产品编号:
2N6059
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 120mA,12A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 6A,3V
- 频率 - 跃迁:
4MHz
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
TO-204AA,TO-3
- 供应商器件封装:
TO-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
16+ |
TO-3 |
1000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
2000 |
5 |
询价 | |||||
MOTO |
2023+ |
TO-3 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
询价 | ||
MOT |
TO-3 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
询价 | |||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
STM |
2339+ |
N/A |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
CENTRAL |
22+ |
TO3 |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
询价 | ||
MOT |
23+ |
CAN |
2325 |
全新原装现货 |
询价 | ||
CENTRAL |
23+ |
TO-3 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 |