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2N6059中文资料PDF规格书

2N6059
厂商型号

2N6059

参数属性

2N6059 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS

文件大小

90.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 8:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6059

  • 别名:

    2N6059三极管、2N6059晶体管、2N6059晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV65A,BDW83C,BDX65B,BDX67B,BDX87C,FH9D,MJ4035,TIP141,TIP642,2SC1830,2SD685,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6059规格书详情

DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS

...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications

FEATURES:

* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.

* High DC Current Gain -

hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A

产品属性

  • 产品编号:

    2N6059

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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