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JAN2N6052	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO3	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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2N6052	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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2N6052	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052	文件：57.55 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6052	文件：16.329 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6052	文件：223.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N6052	文件：195.37 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N6052	文件：146.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6052	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6052	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	Transistor,Bipolar,TO-3,PNP,12A,100V,150W Description:AsiliconPNPDarlingtontransistorsinaTO-3typecasedesignedforgeneral-purposeamplifierandlow-frequencyapplications Features -HighDCCurrentGain -Collector-EmitterSustainingVoltage:Vced(sus)=100VMin@100mA -MonolithicConstructionwithBuit-inBase-Emitte	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6052G	文件：137.61 Kbytes Page：5 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thispackageisdesignedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain—hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mAVCEO(sus)=100Vdc(Min) •M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
JANTX2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel

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产品属性

产品编号：
JAN2N6052
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/501
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3
供应商器件封装：
TO-3（TO-204AA）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

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