2N6052G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N6052G |
| 参数属性 | 2N6052G 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 |
| 功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 文件大小 |
137.61 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-22 12:31:00 |
2N6052G规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
This package is designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications.
Features
• High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• This is a Pb−Free Device*
2N6052G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N6052G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
2N6052G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
22+/23+ |
TO-204AA,TO-3 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-3 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
23+ |
N/A |
35800 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
MSC |
22 |
公司优势库存 热卖中!!! |
询价 | ||||
ON |
22+ |
NA |
30000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-204(TO-3) |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
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询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
