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IXTT50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	Advance Technical Information High Current Power MOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N30	文件：352.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
DAME50N30D	文件：253.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGPF50N30T	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V,50APDPIGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF50N30TTU	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V,50APDPIGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXTH50N30	文件：380.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PJM50N30DJ	文件：569.44 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
SFF50N30M	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF50N30Z	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SSPL50N30H	文件：496.34 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON

详细参数

型号：
IXTT50N30
功能描述：
MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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