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IXTR200N10P	文件：114.58 Kbytes Page：5 Pages	PolarTM HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFR200N10	文件：329.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR200N10P	文件：136.08 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR200N10P	文件：561.32 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX200N10	文件：327.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACandDCMotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX200N10P	文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTC200N10T	文件：191.2 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTF200N10T	文件：166.2 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH200N10T	文件：175.47 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH200N10T	文件：380.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTK200N10P	文件：564.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMPowerMOSFET PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTN200N10T	文件：174.08 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ200N10T	文件：300.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTR200N10P
功能描述：
MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTR200N10P	IXYS	23+	ISOPLUS247?	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	IXTR200N10P	IXYS/LITTELFUSE	23+	TO-247	3210	只做原装提供一站式配套供货中利达	询价
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更多IXTR200N10P供应商更新时间2024-5-3 14:14:00

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