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IXSH24N60	文件：35.54 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTwithguaranteedShortCircuitSOAcapability •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 48A 150W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60A	文件：35.54 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTwithguaranteedShortCircuitSOAcapability •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60AU1	文件：37.91 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTM IGBT with Diode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -so	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60B	文件：107.58 Kbytes Page：2 Pages	High Speed IGBT VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60BD1	文件：107.58 Kbytes Page：2 Pages	High Speed IGBT VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60U1	文件：37.91 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTM IGBT with Diode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -so	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60AU1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 48A 150W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH24N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 48A 150W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DAM24N60C	文件：281.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FIR24N60ANG	文件：2.88047 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQA24N60	文件：633.85 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA24N60	文件：363.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP24N60CFD	文件：338.98 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.185Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW24N60CFD	文件：335.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤185mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA24N60X	文件：299.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH24N60X	文件：383.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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产品属性

产品编号：
IXSH24N60
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，24A
开关能量：
2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/450ns
测试条件：
480V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 48A 150W TO247

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