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IXSH24N60U1	文件：37.91 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTM IGBT with Diode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -so	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXSH24N60U1

文件：37.91 Kbytes

Page：2 Pages

HiPerFASTTM IGBT with Diode

Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -so

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXSH24N60U1

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 48A 150W TO247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

产品属性

产品编号：
IXSH24N60U1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，24A
开关能量：
2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/450ns
测试条件：
480V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 48A 150W TO247

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更多IXSH24N60U1供应商更新时间2024-5-31 14:00:00

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