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IXTA1R4N120P	文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA1R4N120P	文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA1R4N120P	文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP1R4N120P	文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP1R4N120P	文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP1R4N120P	文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTY1R4N120P	文件：130.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY1R4N120P	文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY1R4N120P	文件：318.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTY1R4N120PHV	文件：309.99 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY1R4N120PHV	文件：368.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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