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IXGH30N120C3H1	文件：188.74 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 1200V IGBT HighspeedPTIGBTsfor10-50kHzSwitching VCES=1200V IC100=24A VCE(sat)≤4.2V tfi(typ)=42ns Features OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses SquareRBSOA Anti-ParallelUltraFastDiode AvalancheRated InternationalStandardPackage Applicat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH30N120C3H1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 48A 250W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXYH30N120C3	文件：186.53 Kbytes Page：6 Pages	High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching VCES=1200V IC110=30A VCE(sat)3.3V tfi(typ)=88ns Features HighVoltagePackage OptimizedforLowSwitchingLosses SquareRBSOA PositiveThermalCoefficientofVce(sat) AvalancheRated InternationalStandardPack	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXYP30N120C3	文件：186.53 Kbytes Page：6 Pages	High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching VCES=1200V IC110=30A VCE(sat)3.3V tfi(typ)=88ns Features HighVoltagePackage OptimizedforLowSwitchingLosses SquareRBSOA PositiveThermalCoefficientofVce(sat) AvalancheRated InternationalStandardPack	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH30N120C3H1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.2V @ 15V，24A
开关能量：
1.45mJ（开），470µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/106ns
测试条件：
600V，24A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 48A 250W TO247AD

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