选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
20 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯NA |
5346 |
23+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LittelfuseTO-247 |
7770 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYSN/A |
3600 |
23+ |
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
928 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
114 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
114 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
2400 |
23+ |
全新原装正品现货只做原装假一罚百 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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IXYSN/A |
5346 |
23+ |
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只做原装 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYSTO-247 |
63835 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IXYSN/A |
5346 |
23+ |
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只做原装 |
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深圳市华宇金电子有限公司1年
留言
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IXYSTO-247 |
690000 |
24+ |
支持实单/只做原装 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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IXYSTO247 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
IXGH32N170采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH32N170图片
IXGH32N170价格
IXGH32N170价格:¥71.5723品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH32N170多少钱,想知道IXGH32N170价格是多少?参考价:¥71.5723。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGH32N170批发价格及采购报价,IXGH32N170销售排行榜及行情走势,IXGH32N170报价。
IXGH32N170中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH32N170功能描述:IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N170A功能描述:IGBT 晶体管 VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGH32N170
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.3V @ 15V,32A
- 开关能量:
11mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
45ns/270ns
- 测试条件:
1020V,32A,2.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1700V 75A 350W TO247AD