| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
3520 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IXYSTO-247 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
8675 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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上海金庆电子技术有限公司16年
留言
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IXYSCORPORATION |
19 |
新 |
全新原装 货期两周 |
IXGH36N60B3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH36N60B3图片
IXGH36N60B3价格
IXGH36N60B3价格：￥15.0624品牌：Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGH36N60B3多少钱，想知道IXGH36N60B3价格是多少？参考价：￥15.0624。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH36N60B3批发价格及采购报价，IXGH36N60B3销售排行榜及行情走势，IXGH36N60B3报价。
IXGH36N60B3中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH36N60B3功能描述:IGBT 模块 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGH36N60B3C1功能描述:IGBT 晶体管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH36N60B3D1功能描述:MOSFET 36 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH36N60B3D4功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH36N60B3
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
- 开关能量：
540µJ（开），800µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/125ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 92A 250W TO247
