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SIHP28N60EF	文件：173.59 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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SIHP28N60EF	文件：329.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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SIHP28N60EF

文件：173.59 Kbytes

Page：8 Pages

EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode

FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo

VishayVishay Siliconix

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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产品属性

产品编号：
IXGH28N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，28A
开关能量：
2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/175ns
测试条件：
480V，28A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 40A 150W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	IXGH28N60B	IXYS	24+	TO-247	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IXGH28N60B		23+	N/A	35800	正品授权货源可靠	询价
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更多IXGH28N60B供应商更新时间2024-5-21 10:20:00

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