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IXGH28N120B	文件：575.28 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage IGBT Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH28N120BD1	文件：203.36 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage IGBT w/ Diode Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH28N120BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 250W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP28N120B	文件：570.84 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGQ28N120B	文件：512.87 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode Features •Internationalstandardpackage •IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages •Savesspace(two	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N120B	文件：575.28 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXGH28N120B
功能描述：
IGBT 晶体管 28 Amps 1200V 3.50 Rds
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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