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IXGH12N60B	文件：34.64 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTM IGBT Features •ModeratefrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-247 •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuit •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •Switch-modeandresonant-modepowersupplies Advanta	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60BD1	文件：43.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST TM IGBT VDSS=600V ID25=24A VCE(sat)=2.1V tfi(typ)=120ns Features •ModeratefrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-247 •Highpeakcurrenthandlingcapabilityandantiparalleldiodeinonepackage Applications	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60C	文件：59.23 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series Features •VeryhighfrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-247 •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuit •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •High	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60CD1	文件：61.04 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTM IGBT LightspeedTM Series VCES=600V IC25=24A VCE(sat)=2.7V tfi(typ)=55ns Features ●VeryhighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●Highpeakcurrenthandlingcapability Applications ●PFCcircuit ●ACmotorspeedc	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 24A 100W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 24A 100W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH12N60CD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 24A 100W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
12N60	文件：235.07 Kbytes Page：6 Pages	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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12N60	文件：1.0672 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N60	文件：356.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
12N60	文件：2.2536 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
12N60	文件：820.57 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
12N60	文件：371.21 Kbytes Page：7 Pages	12A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N60	文件：194.03 Kbytes Page：2 Pages	12Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
12N60	文件：136.61 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrent?밒D=12A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
IXGH12N60BD1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
开关能量：
500µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/150ns
测试条件：
480V，12A，18 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 24A 100W TO247AD

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