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IXGH20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGH20N120BD1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A 190W TO247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGP20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGQ20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGT20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH20N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    2.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/150ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 190W TO247

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更多IXGH20N120BD1供应商 更新时间2024-5-21 10:08:00