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IXFA110N15T2	文件：210.23 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™HiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •175°COperatingTemperature •Highcurrenthandlingcapability •FastintrinsicRectifier •DynamicdV/dtrated •LowRDS(on) Advantages •Easytomount •Spacesaving	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXFA110N15T2
功能描述：
MOSFET 110Amps 150V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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