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IXBK75N170	文件：185.32 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •InternationalStandardPackages •HighBlockingVoltage •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement •IntergratedDiodeCanBeUsedforProtection Applications •CapacitorDischarge •ACSwitches •Swi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBK75N170	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1700V 200A 1040W TO264	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBK75N170A	文件：199.69 Kbytes Page：6 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •InternationalStandardPackages •HighBlockingVoltage •FastSwitching •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement •IntergratedDiodeCanBeUsedforProtection Applications •Switched-ModeandReson	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBK75N170A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1700V 110A 1040W TO264	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBN75N170	文件：180.58 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBN75N170A	文件：91.88 Kbytes Page：2 Pages	BIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBX75N170	文件：185.32 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •InternationalStandardPackages •HighBlockingVoltage •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement •IntergratedDiodeCanBeUsedforProtection Applications •CapacitorDischarge •ACSwitches •Swi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBX75N170	文件：185.32 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •InternationalStandardPackages •HighBlockingVoltage •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement •IntergratedDiodeCanBeUsedforProtection Applications •CapacitorDischarge •ACSwitches •Swi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBX75N170A	文件：199.69 Kbytes Page：6 Pages	BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •InternationalStandardPackages •HighBlockingVoltage •FastSwitching •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement •IntergratedDiodeCanBeUsedforProtection Applications •Switched-ModeandReson	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBK75N170
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，75A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264AA
描述：
IGBT 1700V 200A 1040W TO264

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXBK75N170	IXYS	24+	TO-264-3,TO-264AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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