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IXBL60N360	文件：165.01 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●4000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighFrequencyOperation Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBL60N360	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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IXBL60N360

文件：165.01 Kbytes

Page：5 Pages

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●4000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighFrequencyOperation Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXBL60N360

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

产品属性

产品编号：
IXBL60N360
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.4V @ 15V，60A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/340ns
测试条件：
960V，60A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装：
ISOPLUSi5-Pak™
描述：
IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXBL60N360供应商更新时间2024-5-18 15:00:00

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