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IXBH20N360HV	文件：286.11 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •HighVoltagePackages •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •LaserGenera	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH20N360HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3600V 70A TO-247HV	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBF20N360	文件：227.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,HighFrequency,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●4000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighFrequencyOperation Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT20N360HV	文件：286.11 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltagePackages •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •LaserGenera	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBH20N360HV
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.4V @ 15V，20A
开关能量：
15.5mJ（开），4.3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/238ns
测试条件：
1500V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
TO-247HV
描述：
IGBT 3600V 70A TO-247HV

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXBH20N360HV	IXYS	23+	TO-247-3 变式	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多IXBH20N360HV供应商更新时间2024-5-7 19:57:00

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