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NS4263	文件：834.41 Kbytes Page：19 Pages	ClassAB/ClassDswitching,ultra-lowEMI,nofilterrequired,3Wdual-channelaudioamplifierstereoheadphonefunction ClassAB/ClassDworkingmodeswitchingfunction Workingmodeandlow-powershutdownmodearecontrolledbyone-linepulse 3Woutputpower 0.1THD(1Woutputpower,5Vpowersupply) Excellentfull-bandwidthEMIsuppressioncapability Excellentpoweron,poweroffnoisesuppression	NSIWAYShenzhen Naxinwei Technology Co., Ltd. 纳芯威科技深圳市纳芯威科技有限公司	NSIWAY
PE4263	文件：149.22 Kbytes Page：4 Pages	SP6TUltraCMOS??2.6VSwitch100-3000MHz ProductDescription ThePE4263SP6TRFUltraCMOS™SwitchaddressesthespecificdesignneedsoftheQuad-BandGSMHandsetAntennaSwitchModuleMarket.On-chipCMOSdecodelogicfacilitatesthree-pinlowvoltageCMOScontrol.HighESDtoleranceof1500Vatallports,noblockingcapacitorrequir	Peregrine Peregrine Semiconductor	Peregrine
PE4263	文件：254.12 Kbytes Page：2 Pages	SMCPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachmentForRG178,RG196 SMCPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachmentForRG178,RG196 SMCPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachmentForRG178,RG196fromPasternackEnterpriseshassamedayshipmentfordomesticandInternationalorders.OurRF,microwaveandfiberopticproductsmaintaina99availab	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
QPA4263A	文件：765.3 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA4263A	文件：889.77 Kbytes Page：7 Pages	DC–3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier KeyFeatures DCto3500MHzOperation SinglePositiveVoltageSupply Gain:12.3dBat1950MHz OutputIP3:+29.2dBmtypicalat1950MHz NoiseFigure:3.7dBTypicalat1950MHz Robust1000VClass1CHBMESDRating Lead-free/RoHS-compliantSOT-363Package	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4263ASQ	文件：889.77 Kbytes Page：7 Pages	DC–3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier KeyFeatures DCto3500MHzOperation SinglePositiveVoltageSupply Gain:12.3dBat1950MHz OutputIP3:+29.2dBmtypicalat1950MHz NoiseFigure:3.7dBTypicalat1950MHz Robust1000VClass1CHBMESDRating Lead-free/RoHS-compliantSOT-363Package	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4263ASQ	文件：765.3 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA4263ASR	文件：889.77 Kbytes Page：7 Pages	DC–3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier KeyFeatures DCto3500MHzOperation SinglePositiveVoltageSupply Gain:12.3dBat1950MHz OutputIP3:+29.2dBmtypicalat1950MHz NoiseFigure:3.7dBTypicalat1950MHz Robust1000VClass1CHBMESDRating Lead-free/RoHS-compliantSOT-363Package	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4263ASR	文件：765.3 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA4263C	文件：759.34 Kbytes Page：7 Pages	50??4000MHzCascadableSiGeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4263CSQ	文件：759.34 Kbytes Page：7 Pages	50??4000MHzCascadableSiGeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4263CSR	文件：759.34 Kbytes Page：7 Pages	50??4000MHzCascadableSiGeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
S4263	文件：71.46 Kbytes Page：2 Pages	INSULATINGWASHER	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
S-4263	文件：174.42 Kbytes Page：3 Pages	MOUNTINGHARDWARE MOUNTINGHARDWARE	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
S-4263	文件：836.42 Kbytes Page：1 Pages	MOUNTINGHARDWARE MOUNTINGHARDWARE	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
S-4263	文件：174.42 Kbytes Page：3 Pages	MOUNTINGHAREDWARE MOUNTINGHARDWARE	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
SGA-4263	文件：253.26 Kbytes Page：5 Pages	DC-3500MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-4263isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SGA-4263	文件：259.63 Kbytes Page：4 Pages	DC-3500MHZCASCADABLESIGEHBTMMICAMPLIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SGA-4263	文件：407.62 Kbytes Page：5 Pages	DC-3500MHZCASCADABLESIGEHBTMMICAMPLIFIER	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
SGA4263Z	文件：563.79 Kbytes Page：6 Pages	DCto3500MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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产品属性

产品编号：
IRGP4263-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，48A
开关能量：
1.7mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/140ns
测试条件：
400V，48A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 650V 90A 300W TO-247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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