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IRGR3B60KD2	文件：5.59401 Mbytes Page：30 Pages	Drives1x70WHIDlamp Overview TheIRPLHID2Areferencedesignkitconsistsofacompleteballastsolutionfora70WHIDlamp.ThedesigncontainsanEMIfilter,lowvoltagepowersupply,activepowerfactorcorrectionandaballastcontrolcircuitusingtheIRS2573D.Thisdemoboardisintendedtohelpwiththeevalua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGR3B60KD2PBF	文件：317.88 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGR3B60KD2PBF	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGR3B60KD2TRLP	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGR3B60KD2TRRP	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRGR3B60KD2TRP
功能描述：
IGBT 模块
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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