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IRGR3B60KD2TRRP中文资料PDF规格书
IRGR3B60KD2TRRP规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 型号：
IRGR3B60KD2TRRP
- 功能描述：
IGBT 模块
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
13+ |
TO252 |
1740 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+ |
NA |
68932 |
全新原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
TO252 |
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询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO252 |
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IR |
2023+ |
TO252 |
80000 |
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询价 | ||
IR |
TO252 |
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询价 | |||
IR |
新批次 |
TO252 |
4326 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
TO252 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DPAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
TO252 |
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